第1题
A、
B、
C、
D、
第2题
第3题
A、12A
B、25A
C、36A
D、40A
第4题
A、运放的放大作用主要利用了双极性晶体管(BJT)在截至和饱和区的特性
B、共射极BJT晶体管放大电路可以等效为一个基极电流控制的电流源
C、MOSFET晶体管是栅极电压控制的器件,因此它构造的放大电路不需要直流偏置
D、当给MOSFET栅源极之间施加高于阈值的控制电压,其漏极电流随着漏源极之间的电压的升高呈现出先线性增大,然后基本恒定不变的现象
第5题
第6题
A、有很大的正向电流
B、有很大反向电流
C、有很小的正向电流
D、有很小的反向电流
第7题
第8题
A、2
B、1
C、3
D、4
第9题
第10题
什么是MOSFET的阈值电压VT? 推导出MOS结构的VT表达式,并讨论影响VT的各种因素
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