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[单选题]
某N沟道耗尽型MOSFET，其阈值电压为-2V，增益因子β为2A/V2。当栅极电压为3V，漏极电压为4V时，器件的漏源电流为（）。
A.12A
B.25A
C.36A
D.40A
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第4题
某N沟道增强型MOS管的开启电压UGS(th)=4V，为了使该场效应管工作于恒流区(即放大区)，应对其施加的直流偏置电压为( )。
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A．UGS＞4V,UGD＜4V B．UGS＞4V,UGD＞4V
C．UGS＜4V,UGD＜4V D．UGS＜4V,UGD＞4V
第5题
已知某N沟道结型场效应管的UGS(off)=-5V。表给出四种状态下的uGS和uDS的值，判断各状态下管子工作在什么区。(A．恒流区，B．可变电阻区，C．截止区)。
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| 状态 | 1 | 2 | 3 | 4 |
| uGS/V | -1 | -2 | -2 | -6 |
| uDS/V | 3 | 4 | 2 | 10 |
| 工作区 |
第6题
下面关于绝缘栅场效应管描述正确的是（ ）。
A、耗尽型MOSFET的导电沟道，在未加入栅源电压时是不存在的；
B、增强型MOSFET的导电沟道，只有当栅源电压超过某个阈值时才会出现；
C、N沟道耗尽型MOSFET的栅源电压必须小于零
D、N沟道耗尽型MOSFET的栅源电压必须大于零
第7题
某N沟道增强型MOSFET，其源和衬底接地，栅极和漏极始终短接。当栅极电压为3V时，测得漏源电流IDS为1mA；当栅极电压为4V时，测得漏源电流IDS为9mA。 （1）试计算该器件的VT 和β。 （2）当栅极电压为5V时，器件的跨导为多少？
第8题
已知某N沟道结型场效应管的UGS(off)=-5V。下表给出四种状态下的UGS和UDS的值，判断各状态下管子工作在什么区(a．恒流区，b．可变电阻区，c．截止区)。
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| 1 | 2 | 3 | 4 | |
| UGS/V | -1 | -2 | -2 | -6 |
| UDS/V | 3 | 4 | 2 | 10 |
| 工作区 |
第9题
已知某N沟道增强型MOS场效应管的[图]。 下表给出了四种...
已知某N沟道增强型MOS场效应管的
A、状态1：饱和区；状态2：饱和区：
B、状态1：截止区；状态2：饱和区
C、状态3：变阻区；状态4：饱和区
D、状态3：饱和区；状态4：变阻区
第10题
已知某N沟道增强型MOS场效应管的[图]。 下表给出了四种...
已知某N沟道增强型MOS场效应管的
A、状态1：饱和区；状态2：饱和区：
B、状态1：截止区；状态2：饱和区
C、状态3：变阻区；状态4：饱和区
D、状态3：饱和区；状态4：变阻区
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