第1题
A、NFET的阈值电压定义为当界面的电子浓度等于p型衬底的多子浓度时的栅源电压
B、在器件制造过程中,可通过向沟道区注入杂质来调整阈值电压
C、当时,NMOS器件导通
D、若,则 NMOS器件关断
第5题
A、当源与体之间存在衬底偏置电压VSB时,将会使n沟MOS管的阈值电压增大。
B、随着栅电压的不断提高,耗尽区宽度将逐渐增大。
C、阈值电压通常对于NMOS器件是一个正值,对于PMOS器件是一个负值。
D、p型硅衬底的费米势的典型值是-0.3V。
为了保护您的账号安全,请在“上学吧”公众号进行验证,点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证,验证成功后方可继续查看答案!