以下对p型衬底的MIS结构的临界强反型状态描述错误的是（）

A、半导体表面附近的空穴不能产生

B、半导体表面附近的电子不能产生

C、半导体表面附近的空穴数量变化跟不上信号变化

D、半导体表面附近的电子数量变化跟不上信号变化

E、半导体发生了深耗尽

F、以上均不是

  A．它催化的是氧化脱氨反应

  B．它的辅酶是NAD⁺或NADP⁺

  C．它和相应的转氨酶共同催化联合脱氨基作用

  D．它在生物体内活力不强

  E．它是一种变构酶，ATP是其变构抑制剂

A、现象区处于强反型状态

B、可以按照p+n+结理解其能带图

C、p+区价带中的电子隧穿至n+区的导带内

D、电子流向漏极

E、空穴流向源极

A、正值，强反型

B、正值，导电沟道消失

C、负值，强反型

D、负值，导电沟道消失

A.阳性反应

B.弱阳性反应

C.强阳性反应

D.不定

E.阴性反应

A、积累，无

B、耗尽，无

C、反型，有

D、积累，有