A.正值,强反型
B.正值,导电沟道消失
C.负值,强反型
D.负值,导电沟道消失
第1题
A、当源与体之间存在衬底偏置电压VSB时,将会使n沟MOS管的阈值电压增大。
B、随着栅电压的不断提高,耗尽区宽度将逐渐增大。
C、阈值电压通常对于NMOS器件是一个正值,对于PMOS器件是一个负值。
D、p型硅衬底的费米势的典型值是-0.3V。
第2题
A、正
B、负
C、可正可负
D、不确定
第3题
第4题
图示特性是N沟耗尽型MOS管
第5题
该图表示的是N沟耗尽型MOS管
第6题
第7题
A、正值,电子
B、正值,空穴
C、负值,电子
D、负值,空穴
第8题
第9题
A、
B、
C、
D、
第10题
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