强反型时，理想MOS结构表面空间电荷区中的电荷为负电荷，说明该MOS结构的衬底是P型

A、其阈值电压应该是正的

B、其费米势应该是负的

C、强反时，其空间电荷区中的电荷应该是负的

D、积累状态时所加的栅电压应该是负的

A、正，电离施主杂质

B、正，电离施主杂质和空穴

C、负，电离受主杂质

D、负，电离受主杂质和电子

A、半导体表面反型时，空间电荷区宽度达到最大值

B、空间电荷区宽度最大时，强反型区的电子或空穴会屏蔽表面电场

C、空间电荷区宽度达到最大值后，表面势的变化不会引起空间电荷区宽度的变化

D、对于n型，外加电压VG>0并逐渐增大时，空间电荷区宽度逐渐增大直至达到最大值

B、负偏压较大时，总的MOS电容近似等于Cs，与外加电压无关

C、当负偏压减小时，能带下弯程度减小，QSC随ψs的变化减慢，因而Cs减小

D、当负偏压减小时，总的MOS电容为Cox与Cs串联组成，故将随负偏压减小而减小