某N沟道增强型MOSFET，其源和衬底接地，栅极和漏极始终短接。当栅极电压为3V时，测得漏源电流IDS为1mA；当栅极电压为4V时，测得漏源电流IDS为9mA。 （1）试计算该器件的VT 和β。 （2）当栅极电压为5V时，器件的跨导为多少？

(1)若N沟道增强型MOSFET的源极和衬底接地，栅极和漏极短路，推导出描述源、漏两极I-V特性的公式(假设V_TH为常数)．

  (2)若ε_ro=4，x_o=100nm，Z/L=10，μ_n=1000cm²/(V·S)，V_TH=0.5V，画出I-V曲线．

  (3)计算V_G-V_TH=1V时的R_on．

  (4)若L/Z=1.0，重复上题.

考虑一个N沟道增强型MOSFET，其,,以及.求下列情况下的漏极电流： （1）且； （2）且； （3）且； （4）。

A、12A

B、25A

C、36A

D、40A

A、

B、

C、

D、

A、

B、

C、

D、

A、N沟增强型MOSFET

B、P沟增强型MOSFET

C、P沟耗尽型MOSFET

D、N沟耗尽型MOSFET

E、共源放大电路

F、共栅放大电路

G、共漏放大电路

考虑一个N沟道MOSFET，其，Vt=1V，以及W/L=10。求漏极电流： （1）且，则漏极电流ID=（ ）mA； （2）且，则漏极电流ID=（ ）mA；

A、可调电阻区的电压范围为

B、近漏处比近源处的沟道厚度要小

C、此时沟道区呈现电阻特性，电流与基本上是线性关系

D、越大，漏端沟道越来越薄，沟道电阻越大

已知N沟道增强型MOSFET的μn=1 000cm2／V.s，Cox=3×10-8F／cm2，W／l=1／1．47，|VA|=200 V，VDS=10 V，工作在饱和区，试求： (1)漏极电流IDQ分别为1 mA、10 mA时相应的跨导gm，输出电阻rds放大因子μ。 (2)当VDS增加10％时，相应的IDQ值。 (3)画出小信号电路模型。