离子注入设备主要包括以下（)组成部分。

A、会对晶体结构产生损伤

B、离子注入设备复杂且昂贵

C、高温工艺

D、沟道效应(或通道效应)存在

A、注入时间

B、工作温度

C、注入能量

D、注入剂量

A、偏转注入或倾斜硅片

B、在衬底表面制作掩膜氧化薄层(非结晶材料)，使入射离子进入硅晶体前无序化

C、提高离子注入的速度

D、衬底的预非晶化处理(破坏表面结晶层)

A、一定会有大面积的凹陷出现

B、存在铜的侵蚀

C、会产生许多表面污染颗粒、表面铜残留和BTA的残余

D、金属氧化物上的金属残留物可能导致电学短路

A、形成PN结

B、形成电阻和形成欧姆接触

C、形成双极形的基区、发射区、集电区，MOS管的源、漏区和对多晶硅掺杂

D、形成电桥作互连线

A、磨掉晶圆表面的大部分金属

B、降低研磨速率的方法精磨与阻挡层接触的金属，并通过终点侦测使研磨停在阻挡层上

C、磨掉阻挡层以及少量的介质氧化物

D、用大量的去离子水(DIW)清洗研磨垫和晶圆两侧表面

A、大马士革工艺

B、层间介质(ILD)CMP

C、浅沟槽隔离(STI)CMP

D、钨的CMP

A、贴片式键合

B、引线键合

C、带式自动键合

D、倒装芯片键合

此题为判断题(对，错)。

此题为判断题(对，错)。