键合是将芯片焊区与电子封装外壳的I/O引线或基板上的金属布线焊区连接，实现芯片与封装结构的电路连接的技术，键合主要包括下面哪些方式？（)

爆炸焊焊接复合板时,覆板的长度和宽度应比基板相应大10mm~20mm。

此题为判断题(对，错)。

爆炸焊焊接复合板时,需在安放覆板之前,在基板的待结合面上均匀地放置一定数量、形状和尺寸的间隙物,以保证基板与覆板间的整个间隙均匀一致。

此题为判断题(对，错)。

微晶玻璃陶瓷复合板是将一层2～4mm的微晶玻璃熔块平铺于普通瓷质砖基板上，一起进行烧成处理，制备出表层为微晶玻璃、基底为普通陶瓷的复合材料。(  )

结合上皮的附着方式是

A、获得性膜与桥粒结构

B、桥粒结构

C、缝隙连接

D、直接附着

E、半桥粒与基板

有关影像增强器结构功能的组合，错误的是

A、入射窗-铝基板、荧光体层

B、输入屏-碘化铯晶体膜

C、光电极-将输入屏的模拟信号转换成光信号

D、集束电极-使光电子加速、聚焦

E、输出屏-形成可见影像

如果未按常规程序进行塑料热处理操作，结果义齿基托会出现"花基板"，且发生变形，密合度差下列哪项因素不是产生"花基板"的原因A、升温过快，或过高

B、粉液比过多或过少

C、填充塑料过迟或过早

D、压力不足

E、热处理时间过长

常规热处理方法是A、100°恒温2h

B、100°恒温20min

C、70°恒温24h

D、70°恒温1．5h，100°恒温1h

E、60°恒温12h

分析基托发生变形的原因可能是A、压力太小

B、填胶过早

C、升温过慢

D、冷却过快，开盒过早

E、升温过低

热凝塑料经水浴处理，其后果是A、PMNA发生聚合

B、MNA发生聚合

C、平均分子量比牙托粉高

D、其不含残留单体

E、MNA单体完全挥发

如未按常规程序进行塑料热处理操作，结果义齿基托会出现"花基板"，且发生变形，密合度差下列哪项因素不是产生"花基板"的原因A、升温过快，或过高

B、粉液比过多或过少

C、压力不足

D、填充塑料过迟或过早

E、热处理时间过长

常规热处理方法是A、100℃恒温2h

B、70℃恒温24h

C、60℃恒温12h

D、120℃恒温20min

E、70℃恒温1.5h，100℃恒温1h

分析基托发生变形的原因可能是A、压力太小

B、填胶过早

C、冷却过快，开盒过早

D、升温过慢

E、升温过低

热凝塑料经水浴热处理，其结果是A、PMMA发生聚合

B、平均分子量比牙托粉高

C、MMA发生聚合

D、其不含残留单体

E、MMA单体完全挥发

如未按常规程序进行塑料热处理操作，结果义齿基托会出现"花基板"，且发生变形，密合度差下列哪项因素不是产生"花基板"的原因A、升温过快，或过高

B、粉液比过多或过少

C、压力不足

D、填充塑料过迟或过早

E、热处理时间过长

常规热处理方法是A、100℃恒温2h

B、70℃恒温24h

C、60℃恒温12h

D、120℃恒温20min

E、70℃恒温1.5h，100℃恒温1h

分析基托发生变形的原因可能是A、压力太小

B、填胶过早

C、冷却过快，开盒过早

D、升温过慢

E、升温过低

热凝塑料经水浴热处理，其结果是A、PMMA发生聚合

B、平均分子量比牙托粉高

C、MMA发生聚合

D、其不含残留单体

E、MMA单体完全挥发

请帮忙给出每个问题的正确答案和分析，谢谢！