N型衬底制成的管子，其漏-源区是P型的，称为N沟MOS场效应管（)

A.N沟道耗尽型

B.N沟道增强型

C.P沟道耗尽型

D.P沟道增强型

A.P沟道管，工作在可变电阻区

B.N沟道管，工作在放大区

C.P沟道管，工作在截止区

D.N沟道管，工作在截止区

A.P沟道管，工作在可变电阻区

B.N沟道管，工作在放大区

C.P沟道管，工作在放大区

D.N沟道管，工作在可变电阻区

A.越大

B.越小

C.不变

D.无法确定

A.P型半导体

B.N型半导体

C.I型半导体

D.半导体

A.场效应管是一种半导体器件

B.场效应管漏源之间的电流受栅电压的控制

C.对n型硅为主体的场效应管在栅电压施加正电压

D.对p型硅为主体的场效应管在栅电压施加正电压

A.P型半导体

B.N型半导体

C.本征半导体

D.不确定

A.N型和P型

B.NPN型和PNP型

C.增强型和耗尽型

D.绝缘栅型和结型

A.饱和

B.截止

C.可变电阻

D.无法判断