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公共政策分析的阶段有哪些?

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第1题

在P型半导体中掺入微量的()等元素后,半导体中就会产生许多缺少电子的空穴。

A.铟、铝、锑、镓

B. 铟、铝、硼、镓

C. 铟、磷、锑、砷

D. 铟、锑、硼、镓

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第2题

在N型半导体中掺入微量的()等元素,在半导体中就会产生许多带负电的电子。

A.锑、磷、砷

B. 锑、铝、砷

C. 铟、磷、砷

D. 锑、镓、砷

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第3题

在N型半导体中掺入微量的()等元素,在半导体中就会产生许多带负电的电子。

A.锑、磷、砷

B.锑、铝、砷

C.铟、磷、砷

D.锑、镓、砷

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第4题

关于杂质半导体,下列描述正确的是()

A.在本征半导体中掺入施主杂质,可以获得N型半导体,掺杂后电子为多子,空穴为少子;

B.在本征半导体中掺入施主杂质,可以获得P型半导体,掺杂后电子为多子,空穴为少子;

C.在本征半导体中掺入受主杂质,可以获得N型半导体,掺杂后空穴为多子,电子为少子;

D.在本征半导体中掺入受主杂质,可以获得P型半导体,掺杂后电子为多子,空穴为少子。

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第5题

半导体掺入以下()元素后会产生许多缺少电子的空穴。

A.锑

B. 磷

C. 砷

D. 硼

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第6题

在本征半导体中掺入少量的铝元素,可以形成 P型半导体,多子是空穴。()

在本征半导体中掺入少量的铝元素,可以形成 P型半导体,多子是空穴。()

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第7题

纯净半导体中掺入微量5价元素形成的是()型半导体。

A.P

B.N

C.PN

D.空穴导电

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第8题

本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。

A.自由电子,空穴;扩散,飘移

B. 空穴,自由电子;漂移,扩散

C. 空穴,自由电子;扩散,漂移

D. 自由电子,空穴;漂移,扩散

E. 自由电子,空穴;扩散,扩散

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第9题

在纯净半导体中掺入微量3价元素形成的是()型半导体。

A.P

B.N

C.PN

D.电子导电

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