第1题
第2题
A.栅极与漏极
B.栅极与源极
C.源极与漏极
D.均不对
第3题
A.导通
B.截止
C.放大
D.击穿
第4题
A.大型变频器
B.中小容量变频器
C.直流调压调速系统
D.高精密变频调速系统
第5题
A.开启电压
B.擎住电流
C.维持电流
D.导通电流
第6题
第7题
IGBT相比MOSFET,其通态电阻较大,因而导通损耗也较大。( )
第8题
A.IGBT是MOSFET和GTR复合的产物
B.IGBT是MOSFET和GTO复合的产物
C.IGBT具有MOSFET驱动特性和GTR的导通特性。
D.IGBT具有MOSFET驱动特性和GTO的导通特性
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