A.IGBT是MOSFET和GTR复合的产物
B.IGBT是MOSFET和GTO复合的产物
C.IGBT具有MOSFET驱动特性和GTR的导通特性。
D.IGBT具有MOSFET驱动特性和GTO的导通特性
第2题
A、IGBT的研制成功为斩波器,逆变器,变频器的高效化 提供了有利条件
B、IGBT目前没有抗短路能力
C、IGBT是电压型驱动器件
D、IGBT的设计中需要提供过电压保护
第3题
A、IGBT开关速度高于电力MOSFET
B、IGBT是电压驱动型器件
C、电力MOSFET存在二次击穿问题
D、IGBT具有擎住效应
第6题
A、驱动原理与电力MOSFET相同,是场控器件
B、主要导电沟道由其内部的晶体管提供
C、通过结构分析可知,其内部寄生着一个二极管
D、高耐压的同时也具有很小的通态压降
E、可能出现的二次击穿对IGBT危害极大
F、关断过程中存在拖尾电流,导致其关断时间延长
第7题
A、这是一层低掺杂N区
B、低掺杂N区越厚,电力电子器件能承受的反向电压就越高
C、由于N-区的存在,电力MOSFET会通过电导调制效应解决高电阻率和正向导通之间的矛盾
D、由于N-区的存在,GTR会通过电导调制效应解决高电阻率和正向导通之间的矛盾
E、由于N-区的存在,电力二极管会通过电导调制效应解决高电阻率和正向导通之间的矛盾
F、低掺杂N区一般采用 P-N-i 结构
G、由于N-区的存在,IGBT会通过电导调制效应解决高电阻率和正向导通之间的矛盾
第9题
A. 电流互感器测量有问题
B. 变流器测量出问题
C. 变流器上面7号、8号IGBT拨码出问题
D. 变流器上面2号IGBT拨码有问题
第10题
A、一组器件的驱动信号要尽量保持一致
B、MOSFET不适合并联使用
C、BJT的导通电阻具有正温度系数
D、IGBT在电流较大时具有负温度系数
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