A.正确
B.错误
第1题
硅二极管和锗二极管的门槛电压(死区电压)分别约为______V和______V。通常情况下,它们的正向导通电压的工程取值分别为______V和______V。
第2题
A.死区电压为0.1V,正向导通电压为0.3 V
B.死区电压为0.3 V,正向导通电压为0.5 V
C.死区电压为0.5 V,正向导通电压为0.7 V
D.死区电压为0.7 V,正向导通电压为0.9 V
第5题
硅二极管和锗二极管的门槛电压(死区电压)分别约为__________V和__________V,通常情况下,它们的正向导通电压的工程取值分别为__________V和__________V。
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