一般我们取硅二极管的死区电压为0.5V,正向导通电压为0.7V（）

硅二极管和锗二极管的门槛电压(死区电压)分别约为______V和______V。通常情况下，它们的正向导通电压的工程取值分别为______V和______V。

此题为判断题(对，错)。

此题为判断题(对，错)。

锗二极管的导通电压(  )，死区电压(  )。硅二极管的导通电压(  )，死区电压(  )。

  (a) 0.7V  (b) 0.1V  (c) 0.3V  (d) 0.5V

硅二极管的死区电压一般为0.2V。

此题为判断题(对，错)。

硅二极管正常工作时正向电压降为(  )V，锗二极管正向电压降为(  )V。

硅二极管的正向导通电压为( )。

A.0.3V左右

B.0.7V左右

C.0.1V左右

D.0.4V左右

A.1V

B.0.7V

C.2V

D.7V

硅二极管正向导通电压为（ ）。

A.0.1～0.3V

B.0.2～0.3V

C.0.5～0.7V

D.0.6～0.8V

硅二极管的死区电压是()。

A.0.1~0.2V

B.0.5V

C.0.7V

D.0.6V