关于兴奋性突触后电位(EPSP)产生的叙述,哪一项是错误的
A.突触前轴突末梢去极化
B.Ca2+由膜外进入突触前膜内
C.突触小胞释放递质,并与突触后膜受体结合
D.突触后膜对Na+、K+、Ca2+,特别对K+的通透性升高
E.突触后膜产生去极化
第2题
兴奋性突触后电位(excitatory postsynaptic potential,EPSP)
第3题
关于兴奋性突触后电位(EPSP)产生的叙述,哪一项是错误的
A.突触前轴突末梢去极化
B.Ca2+由膜外进入突触前膜内
C.突触小胞释放递质,并与突触后膜受体结合
D.突触后膜对Na+、K+、Ca2+,特别对K+的通透性升高
E.突触后膜产生去极化
第4题
兴奋性突触后电位(EPSP)的形成是由于突触后膜化学门控通道开放时,______离子内流大于______离子外流而产生的______极化型电位变化;而抑制性突触后电位(IPSP)则是突触后膜上的______通道开放,______离子内流而产生的______极化型电位变化。
第5题
兴奋性突触后电位(EPSP)的形成是由于突触后膜化学门控通道开放时,______离子内流大于______离子外流而产生的______极化型电位变化;而抑制性突触后电位(IPSP)则是突触后膜上的______通道开放,______离子内流而产生的______极化型电位变化。
第6题
EPSP表示()。
A.抑制性突触后电位
B.神经生长因子
C.氨基酸类递质
D.兴奋性突触后电位
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