某场效应管的转移特性如图1所示，该管为（）

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

A.NMOS增强型

B.PMOS增强型

C.NMOS耗尽型

D.PMOS耗尽型

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道耗尽型MOS管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道耗尽型MOS管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

已知图3-20(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图3-20(b)、(c)所示。

已知图3-22(a)所示电路中场效应管的转移特性如图3-22(b)所示。求解电路的Q点和A_v。

已知图15-51(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图15-51(b)，(c) 所示。

(1)利用图解法求解Q点；(2)利用等效电路法求解A_u，r_i和r_o。

已知图P2.21(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图(b)、(c)所示.

(1)利用图解法求解Q点;

(2)利用等效电路法求解A_u、R_i和R₀.

图P2.21

A．增强型N沟道场效应管

B．耗尽型N沟道场效应管

C．增强型P沟道场效应管

D．耗尽型P沟道场效应管

已知图P2.16(a)所示电路中场效应管的转移特性如图(b)所示.求解电路的Q点和A_u.