A.增强型N沟道场效应管
B.耗尽型N沟道场效应管
C.增强型P沟道场效应管
D.耗尽型P沟道场效应管
第3题
假设以双亲表示法作树的存储结构,写出双亲表示的类型说明,并编写求给定的树的深度的算法。(注:已知树中结点数)【清华大学1994七(15分)】
第4题
第8题
稀疏矩阵的带行指针数组的二元组表示是更节省存储的存储表示。
(1)写出带行指针数组的二元组表示的类定义;
(2)编写一个算法,根据矩阵元素的行、列下标值i和j求矩阵元素;
(3)讨论这种方法和三元组表相比有什么优缺点。
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