A.Mosfet管一定是可以反向导通的
B.Mosfet管加正向电压,当栅漏极施加电压大于门槛电压时,会导通
C.Mosfet管加正向电压,当栅源极施加电压大于门槛电压时,会导通
D.Mosfet管的线性区是饱和区
第1题
A.MOSFET跨导是静态参数
B.表征了MOSFET的放大能力
C.表示MOSFET将栅源电压转换为漏极电流的能力
D.随MOSFET工作点变化而变化
第3题
第4题
A.IGBT是MOSFET和GTR复合的产物
B.IGBT是MOSFET和GTO复合的产物
C.IGBT具有MOSFET驱动特性和GTR的导通特性。
D.IGBT具有MOSFET驱动特性和GTO的导通特性
第5题
A.MOSFET不存在少子储存效应,开通关断过程非常迅速。
B.MOSFET是场控器件,静态时几乎不需输入电流,开通关断过程时间长。
C.MOSFET是场控器件,静态时需输入大电流,开通关断过程时间长。
D.MOSFET是场控器件,静态时栅极需输入大电流,开通关断过程非常迅速。
第7题
A.P沟道耗尽型MOSFET;N沟道结型;N沟道增强型MOSFET
B.P沟道耗尽型MOSFET;N沟道增强型MOSFET;结型N沟道
C.N沟道耗尽型MOSFET;N沟道结型;N沟道增强型MOSFET
D.N沟道耗尽型MOSFET;N沟道增强型MOSFET; N沟道结型
第8题
A.P沟道耗尽型MOSFET;N沟道结型;N沟道增强型MOSFET
B.P沟道耗尽型MOSFET;N沟道增强型MOSFET;结型N沟道
C.N沟道耗尽型MOSFET;N沟道结型;N沟道增强型MOSFET
D.N沟道耗尽型MOSFET;N沟道增强型MOSFET; N沟道结型
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