A.计算一个耐张段内的代表档距
B.计算杆塔结构所承受的电线垂直荷载
C.计算杆塔结构所承受的电线横向风荷载
D.计算杆塔结构所承受的电线纵向风荷载
第3题
A.Lp(r)=Lp(r0)-10lg(r/r0)
B.Lp(r)=Lp(r0)-10lg(r/r0)
C.Lp(r)=Lp(r0)-10lg(r0/r)
D.Lp(r)=Lp(r0)-10lg(r0/r)
第5题
A. 40米以上的高层建筑
B. 自振周期T1很长(T1>4s)的高层建筑
C. 垂直方向质量、刚度分布均匀的多层建筑
D. 平面上质量、刚度有较大偏心的多高层建筑
第7题
1.车床???? ?? a.半精加工、精加工碳钢、合金钢等材料的外圆面、内孔、平面、螺纹和齿轮形
2.钻床????? ??b.加工平面(包括水平面垂直面和斜面)、沟槽、成型面和切断等,工作效率高
3.铣床?? ??? ?c.主要加工平面,也广泛地用于加工直角槽、燕尾槽和T型槽
4.磨床?? ?? ? d.对已有的孔进行再加工,加工直径较大的孔,内成形面式孔、内环槽等
5.镗床????? ??e.粗加工螺纹孔油孔等
6.刨床??? ??? f.加工各种回转表面,单一轴线的零件,如直轴和一般盘套类零件
7.锯床g.用于各种零件及坯料的切断
第8题
选择题:(每题10 分,总分100分,单选多选少选不给分) 1. 金属或半导体薄片置于磁场中,当有电流流过时,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势,这种物理现象称为 。 A.压电效应 B.涡流效应 C.霍尔效应 D. 应变效应 2. 只有 适于作霍尔元件,其电阻率和载流子的迁移率都比较大。 A.金属材料 B. 半导体材料 C. 绝缘材料 D. 高分子才熬 3. 目前常用的半导体材料有硅、锗、锑化铟和砷化铟等,这些材料不但有较大霍尔系数RH ,而且有较好的线性度,其中 的RH较小,温度系数也较小,输出特性线性度好。 A. N型锗 B. N型硅 C. 锑化铟 D. 砷化铟 4. 使霍尔传感器处于非均匀磁场中,其输出正比于磁感应强度,因此,对凡是能转换为 变化的量都能进行测量,如位移、角度、转速和加速度等。 A. 磁场强度 B.控制电流 C. 磁感应强度和控制电流之积 D.其他 5. 霍尔传感器输出值正比于 ,它可以用于乘法、功率等方面的计算与测量。 A. 磁场强度 B.控制电流 C. 磁感应强度和控制电流之积 D.其他 6. 磁场特性不变,传感器输出值正比于 ,凡能转换为电流变化的量,均能进行测量。 A. 磁场强度 B.控制电流 C. 磁感应强度和控制电流之积 D.其他 7.当霍尔元件的控制电流为IN时,若元件所处位置磁感应强度为零,则它的霍尔电势应该为零,但实际不为零。这时测得的空载霍尔电势称为( ) 电势。 A.寄生直流电势 B.寄生感应电势 C.霍尔电势 D.不等位电势 8. 霍尔传感器中由于不等位电势由不等位电阻产生,因而可以采用( )进行补偿。 A. 电阻值较大的桥臂上并联电阻 B. 在两相邻桥臂上串联电阻,以增加电极等效电桥的对称性。 C. 电阻值较大的桥臂上串联电阻 D. 在两相邻桥臂上并联电阻,以增加电极等效电桥的对称性。 9 .霍尔传感器温度误差的补偿措施有( ) A. 选择温度系数小的霍尔元件 B. 采取恒温措施 C. 采用恒流源供电 D. 电路中用一个分流电阻rT与霍尔元件的控制电极相串联 10. 由于霍尔传感器具有体积小、成本低、灵敏度高、性能可靠、频率响应宽、动态范围大的特点,并可采用集成电路工艺,因此被广泛用于、、、振动等方面的测量。( ) A. 电磁测量 B压力 C. 成份和浓度 D. 加速度
第9题
在桁架中,公共节点的位移可以用来计算与其相连杆件的长度变化,基本方法是将其分量沿各杆进行投影。图示简单桁架中,杆1和杆2的变形大小分别为和,在小变形情况下,节点的水平位移和垂直位移的大小分别为( )
A、
B、
C、
D、
第10题
A、平行于流体流动方向;
B、垂直于流体流动方向;
C、平行或垂直于流体流动方向均可
D、条件不足,无法判定
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