A.本征半导体加少量硼
B.本征半导体加少量磷
C.空穴为多数载流子
D.电子为多数载流子
第1题
A. 只存在一种载流子:自由电子
B. 在二极管中,N型半导体一侧接出引线后,是二极管的正极
C. 在纯净的硅衬底上,分散三价元素,可形成N型半导体
D. 在PNP型的晶体管中,基区正是由N型半导体构成
第2题
A.无论是P型还是N型半导体,参与导电的都是自由电子和空穴
B.P型半导体中只有空穴导电
C.N型半导体中只有自由电子参与导电
D.在半导体中有自由电子、空穴、离子参与导电
第4题
B、P型半导体带正电荷,N型半导体带负电荷
C、P型半导体的受主负离子和N型半导体的施主正离子均为载流子
D、N型半导体的多子是自由电子,P型半导体的少子也是自由电子
第5题
B、多子的扩散运动和少子的漂移运动,达到动态平衡,形成了PN结
C、动态平衡后,空间电荷区中,包含有静止的自由电子-空穴对,以及静止的正、负杂质离子
D、空间电荷区中存在内电场,也称为势垒区
第6题
A、施主杂质电离后,可以为半导体提供导电电子
B、施主杂质电离后,电离中心带正电
C、施主杂质是一种间隙式杂质
D、单一施主掺杂后的半导体为n型半导体
第7题
A、可以区分N型半导体和P型半导体材料
B、与半导体材料相比,金属导体的霍尔系数较大
C、霍尔元件的制作采用的是半导体材料,而不是金属材料
D、霍尔效应是运动电荷受到的电场力的结果
第8题
A、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得
B、在N型半导体中,掺入高浓度的三价杂质可以改型为P型半导体
C、P型半导体带正电,N型半导体带负电
D、PN结内的扩散电流是载流子在电场作用下形成的
第9题
A、P型半导体多空穴,N型半导体多自由电子
B、在P和N半导体的分界面处,N区的电子会扩散到P区,P区的空穴会扩散到N区。
C、P-N结内电场的方向是N负P正。
D、光生电势与内电场方向相反。
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