关于N型半导体的下列说法，正确的是（）。

B．本征半导体加少量磷

C．空穴为多数载流子

D．电子为多数载流子

A.无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴

B.P型半导体中只有空穴导电

C.N型半导体中只有自由电子参与导电

D.在半导体中有自由电子、空穴、离子参与导电

B、稳压二极管在稳压时工作在反向击穿状态

C、整流二极管和稳压二极管可以互换使用

D、以上说法都是错误的

A、费米能级靠近导带底

B、空穴为多子

C、电子为少子

D、费米能级靠近靠近于价带顶

B、P型半导体带正电荷，N型半导体带负电荷

C、P型半导体的受主负离子和N型半导体的施主正离子均为载流子

D、N型半导体的多子是自由电子，P型半导体的少子也是自由电子

A、N型半导体的电子浓度近似等于空穴浓度

B、N型半导体中的电子浓度近似等于施主杂质浓度

C、N型半导体中的电子浓度近似等于受主浓度，

D、N型半导体中的空穴浓度近似等于施主浓度

A、可以区分N型半导体和P型半导体材料

B、与半导体材料相比，金属导体的霍尔系数较大

C、霍尔元件的制作采用的是半导体材料，而不是金属材料

D、霍尔效应是运动电荷受到的电场力的结果

A、N型半导体中多子是电子，少子是空穴

B、P型半导体可以掺磷（P）得到

C、P型半导体主要靠空穴导电

D、向硅中掺入施主杂质可以得到N型半导体

B、多子的扩散运动和少子的漂移运动，达到动态平衡，形成了PN结

C、动态平衡后，空间电荷区中，包含有静止的自由电子-空穴对，以及静止的正、负杂质离子

D、空间电荷区中存在内电场，也称为势垒区

A、施主杂质电离后，可以为半导体提供导电电子

B、施主杂质电离后，电离中心带正电

C、施主杂质是一种间隙式杂质

D、单一施主掺杂后的半导体为n型半导体