第1题
A、驱动原理与电力MOSFET相同,是场控器件
B、主要导电沟道由其内部的晶体管提供
C、通过结构分析可知,其内部寄生着一个二极管
D、高耐压的同时也具有很小的通态压降
E、可能出现的二次击穿对IGBT危害极大
F、关断过程中存在拖尾电流,导致其关断时间延长
第2题
A.电感效应
B.过压
C.二次击穿
D.过流
第3题
A.双极型晶体管
B.FET
C.齐纳二极管
D.LED
第4题
A.单极型器件
B.双极型器件
C.复合型器件
D.单合型器件
第5题
A.二极管
B.三极管
C.场效应管
D.稳压管
第6题
A.肖特基二极管
B.电力晶体管
C.可关断晶闸管
D.绝缘栅双极晶体管
第7题
A.一个PN结组成
B.二个PN结组成
C.三个PN结组成
第8题
第9题
C.可关断晶闸
第10题
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