下图是理想MOS电容在室温下的能带图,其中施加一个栅极偏压使得能带弯曲,且在Si-SiO2界面处半导体的费米能级与本征费米能级重合。已知Si的禁带宽度为1.18 eV,电子亲合势为4.0 eV,导带底有效状态密度为1.0×10^19cm^-3 ,则Si-SiO2界面处的电子浓度为 cm^-3
第1题
A、
B、
C、
D、
第2题
一个理想的MOS电容器,p型Si衬底的掺杂浓度为。当氧化层厚度为时,阈值电压为,则当氧化层厚度为时的阈值电压为( )。
A、
B、
C、
D、
第7题
B、负偏压较大时,总的MOS电容近似等于Cs,与外加电压无关
C、当负偏压减小时,能带下弯程度减小,QSC随ψs的变化减慢,因而Cs减小
D、当负偏压减小时,总的MOS电容为Cox与Cs串联组成,故将随负偏压减小而减小
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