A.
B.
C.
D.
第1题
一个理想的MOS电容器,p型Si衬底的掺杂浓度为。当氧化层厚度为时,阈值电压为,则当氧化层厚度为时的阈值电压为( )。
A、
B、
C、
D、
第6题
B、负偏压较大时,总的MOS电容近似等于Cs,与外加电压无关
C、当负偏压减小时,能带下弯程度减小,QSC随ψs的变化减慢,因而Cs减小
D、当负偏压减小时,总的MOS电容为Cox与Cs串联组成,故将随负偏压减小而减小
为了保护您的账号安全,请在“上学吧”公众号进行验证,点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证,验证成功后方可继续查看答案!