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[单选题]

【多选题】关于功率MOS器件,以下说法中正确的是:()

A.功率MOS器件也存在二次击穿现象。

B.功率MOS器件不可能出现二次击穿。

C.与功率BJT相比,功率MOS器件可承受高电压、大电流、开关速度快,适合高频工作。

D.与功率BJT相比,功率MOS器件的输入阻抗极高。

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更多“【多选题】关于功率MOS器件,以下说法中正确的是:()”相关的问题

第1题

下列关于MOS器件I/V特性的说法,不正确的是()

A、工作在饱和区的NMOS器件可用作电流源

B、工作在饱和区的PMOS器件可用作电流源

C、当MOS器件的沟道被夹断时,MOS器件截止

D、当VGS >VTH,VDS >VGS - VTH时,NMOS器件的沟道被夹断

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第2题

MOS器件的电流电压特性的说法,不正确的是()

A、当VGS > VTH,并且0 < VDS < VGS-VTH时,NMOS器件工作在线性区

B、当VGS < VTH时,NMOS器件工作在截止区

C、当VGS >VTH,VDS >VGS - VTH时,NMOS器件工作在饱和区

D、当当VGS < VTH时,且0 < VDS < VGS-VTH时,NMOS器件工作在深线性区

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第3题

下面有关MOS管的说法正确的是()

A、MOS晶体管的电学本质:电流控制电压源

B、MOS器件的最高工作频率与其沟道长度的平方成正比,增大沟道长度L可有效地提高工作频率

C、MOS管本征寄生电容有三个来源,分别是:栅至沟道的电容,基本MOS结构电容(覆盖电容),结电容

D、NMOS传输门传输低电平有阈值损失,PMOS传输门传输高电平有阈值损失

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第4题

关于M2000的安全管理,以下说法正确的是()
A.当一个M2000用户和某个网元绑定后,这个用户就成为该网元的一个网元用户。一个M2000用户在一个网元上对应一个网元用户。admin用户不能绑定到网元。一些网元类型不支持绑定用户。

B.一般情况下,M2000不限制登录时用户所在的客户端的IP地址。一旦M2000用户绑定了IP地址,则用户登录时客户端的IP地址必须在绑定的IP地址列表中。

C.M2000提供一个默认的帐户――admin,作为系统的超级用户。admin用户拥有M2000所有的操作权限。超级用户“admin”不需要特别分配网元的MML命令权限,即可在M2000上执行网元的MML命令。

D.为了保证系统的安全,如果一个用户帐户连续三个月没有登录,该用户帐户将会被M2000置为非激活状态,如果连续六个月没有登录,该用户将会被M2000删除。

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第5题

关于M2000的安全管理,以下说法正确的是()
A.当一个M2000用户和某个网元绑定后,这个用户就成为该网元的一个网元用户。一个M2000用户在一个网元上对应一个网元用户。admin用户不能绑定到网元。一些网元类型不支持绑定用户。

B.一般情况下,M2000不限制登录时用户所在的客户端的IP地址。一旦M2000用户绑定了IP地址,则用户登录时客户端的IP地址必须在绑定的IP地址列表中。

C.为了保证系统的安全,如果一个用户帐户连续三个月没有登录,该用户帐户将会被M2000置为非激活状态,如果连续六个月没有登录,该用户将会被M2000删除。

D.M2000提供一个默认的帐户――admin,作为系统的超级用户。admin用户拥有M2000所有的操作权限。超级用户“admin”不需要特别分配网元的MML命令权限,即可在M2000上执行网元的MML命令。

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第6题

关于M2000的安全管理,以下说法正确的是()
A.为了保证系统的安全,如果一个用户帐户连续三个月没有登录,该用户帐户将会被M2000置为非激活状态,如果连续六个月没有登录,该用户将会被M2000删除。

B.一般情况下,M2000不限制登录时用户所在的客户端的IP地址。一旦M2000用户绑定了IP地址,则用户登录时客户端的IP地址必须在绑定的IP地址列表中。

C.M2000提供一个默认的帐户――admin,作为系统的超级用户。admin用户拥有M2000所有的操作权限。超级用户“admin”不需要特别分配网元的MML命令权限,即可在M2000上执行网元的MML命令。

D.当一个M2000用户和某个网元绑定后,这个用户就成为该网元的一个网元用户。一个M2000用户在一个网元上对应一个网元用户。admin用户不能绑定到网元。一些网元类型不支持绑定用户。

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第7题

MOS器件绝缘层中的可动电荷是()

A.电子;

B.空穴;

C.钠离子;

D.硅离子。

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第8题

“MOS器件即使没有传输电流也可能导通”,这种说法正确么?为什么?
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第9题

MOS器件小信号模型中的mbg是由MOS管的()效应引起。
A.二级

B.衬偏

C.沟长调制

D.亚阈值导通

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第10题

如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应?
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