【判断题】P型杂质半导体带正电，N型杂质半导体带负电。

杂质半导体有P型半导体和N型半导体，由它们构成PN节，PN节具有（）导电性，可以做成（）器件。

下述说法中，正确的是(  )。

  (A) 本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电，而杂质半导体(n型或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参与导电，所以本征半导体导电性能比杂质半导体好

  (B) n型半导体的导电性能优于p型半导体的，因为n型半导体是负电子导电，p型半导体是正离子导电

  (C) n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近导带的底部，使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到导带中去，大大提高了半导体导电性能

  (D) p型半导体的导电机构完全取决于满带中空穴的运动

图3-10(a)所示为一种测pn结结深x_j的方法．在n型半导体的基质硅片表面经杂质扩散而形成p型半导体区．p区与n区的交界面叫pn结，pn结距表面的深度(即p区厚度)x_j叫结深．在半导体工艺上需要测定结深，测量的方法是先通过磨角、染色，使p区和n区的分界线清楚地显示出来，然后盖上半反射膜，在它与硅片之间形成尖劈形空气薄膜．用单色光垂直照射时，可以观察到空气薄膜的等厚干涉条纹．数出p区空气薄膜的条纹数目△k，即可求出结深

  x_j=△k(λ/2)．

  由于光在金属或半导体表面反射时相位变化比较复杂，用本方法测量结深x_j没有考虑此相位突变，因此测量结果不太精确．更精确的测量方法见图3-10(b)，半反射膜不是像在图3-10(a)中那样紧贴在p区上表面，而是一端稍微往上翘一点，观察到的干涉条纹如图3-10(b)下方所示．试说明：

  

A、P型半导体的多子是空穴，N型半导体的少子也是空穴

B、P型半导体带正电荷，N型半导体带负电荷

C、P型半导体的受主负离子和N型半导体的施主正离子均为载流子

D、N型半导体的多子是自由电子，P型半导体的少子也是自由电子

A、在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子；

B、在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子；

C、在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后空穴为多子，电子为少子；

D、在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子。

什么是“杂质饱和电离”？在杂质饱和电离条件下，写出N型半导体的电子和空穴浓度，以及P型半导体的电子和空穴浓度