第1题
室温下,某半导体的本征载流子浓度为,掺杂浓度为,电子和空穴的迁移率分别为和。若外加电场强度为,则其漂移电流密度为( )。
A、
B、
C、
D、
第2题
某p型半导体掺杂浓度NA=1016cm-3,少子寿命τn=10μs,在均匀光的照射下产生非平衡载流子,其产生率g=1018cm-3·s,试计算室温时光照情况下的费米能级并和原来无光照时的费米能级比较。(设本征载流子浓度ni=1010cm-3)。
第8题
温度为300K的本征硅半导体载流子浓度为,禁带宽度为1.12eV,计算掺入硼原子后硅中电子浓度为()
A、
B、
C、
D、
第9题
一重掺杂n型半导体的平衡载流子浓度为n0和p0,恒定光照下,产生的电子—空穴对数为Q/cm3·s,复合系数为γ。今另加一闪光,产生附加光载流子的浓度为△n=△p(<<n0)。试证,闪光t秒后,样品内空穴浓度为
第10题
某n型半导体硅,其掺杂浓度ND=1015cm-3,少子寿命τp=5μs,若由于外界作用,使其少数载流子全部被清除(如反向偏压的pn结附近),试求此时电子—空穴的产生率是多大(设ni=1.5×1010cm-3)?
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