任何非导体材料在足够大的压强下可以实现价带和导带的重叠，从而呈现金属导电性。

A.比绝缘体的大

B.比绝缘体的小

C.和绝缘体的相同

在高纯度的半导体中电子的能量本征值形成图所示的能带结构.0K时价带中的状态完全被电子占据.而导带中的状态则完全未被占据.价.带与导带之间有能量为eg的能隙,称为禁带,其中不存在电子的可能状态.0K下具有这种能带结构的晶体形成绝缘体.在较高温度下，价带中有些电子因热激发会跃迁到导带,而在价带留下空穴.跃迁到导带的电子和价带中的空穴都参与导电,晶体就形成半导体.这样的半导体称为本征半导体.试证明,温度T时本征半导体中电子和空穴的浓度ne和nh为

A、导带顶和价带底

B、价带顶和导带底

C、允带顶和价带底

D、导带顶和允带底

铜是良导体，在任何情况下都可与相同材料和不同材料导线直接联接。()

A、半导体处于热平衡状态时，有确定的载流子浓度，即平衡载流子，且。

B、半导体处于热平衡状态时，整个材料具有统一的费米能级。

C、半导体处于热平衡状态时，载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡。

D、在外界作用下，半导体中额外产生了载流子，即非平衡载流子，半导体进入非平衡状态。

E、在外界作用下，如果载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡，载流子浓度具有确定的值，此时半导体为热平衡态。

F、在外界作用下，稳定时，载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡，载流子浓度具有确定的值，但此时半导体为非平衡态。

G、半导体处于非平衡态时，整个材料不具有统一的费米能级。

H、半导体处于非平衡态时，导带电子的分布用导带准费米能级表征，价带空穴的分布用价带准费米能级表征。

A.（EC-EF.或（EF-EV）≤0

B.（EC-EF.或（EF-EV）≥0

C.能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度

D.导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子

A.元素半导体材料

B.化合物半导体材料

C.合成半导体材料

D.变形半导体材料