A.(EC-EF.或(EF-EV)≤0
B.(EC-EF.或(EF-EV)≥0
C.能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度
D.导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子
第1题
A.【100】
B.【111】
C.【110】
D.【111】或【110】
第2题
A.n型
B.p型
C.本征型
D.高度补偿型
第3题
A.平衡载流子浓度成正比
B.非平衡载流子浓度成正比
C.平衡载流子浓度成反比
D.非平衡载流子浓度成反比
第4题
A.金属
B.本征半导体
C.掺杂半导体
D.高纯化合物半导体
第5题
A.单调上升
B.单调下降
C.经过一个极小值趋近Ei
D.经过一个极大值趋近Ei
第6题
A.不含施主杂质
B.不含受主杂质
C.不含任何杂质
D.处于绝对零度
第7题
A.不含杂质和缺陷
B.电阻率最高
C.电子密度和空穴密度相等
D.电子密度与本征载流子密度相等
第8题
A.Si
B.Ge
C.GaAs
D.GaN
第9题
A.1/n0
B.1/△n
C.1/p0
D.1/△p
第10题
A.禁带中部
B.导带
C.价带
D.费米能级
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