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[主观题]

简并半导体是指()的半导体。

A.(EC-EF.或(EF-EV)≤0

B.(EC-EF.或(EF-EV)≥0

C.能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度

D.导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子

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更多“简并半导体是指()的半导体。”相关的问题

第1题

为减少固定电荷密度和快界面态的影响,在制备MOS器件时通常选择硅单晶的方向为()

A.【100】

B.【111】

C.【110】

D.【111】或【110】

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第2题

可以由霍尔系数的值判断半导体材料的特性,如一种半导体材料的霍尔系数为负值,该材料通常是()

A.n型

B.p型

C.本征型

D.高度补偿型

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第3题

对大注入条件下,在一定的温度下,非平衡载流子的寿命与()。

A.平衡载流子浓度成正比

B.非平衡载流子浓度成正比

C.平衡载流子浓度成反比

D.非平衡载流子浓度成反比

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第4题

如某材料电阻率随温度上升而先下降后上升,该材料为()。

A.金属

B.本征半导体

C.掺杂半导体

D.高纯化合物半导体

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第5题

对于只含一种杂质的非简并n型半导体,费米能级EF随温度上升而()

A.单调上升

B.单调下降

C.经过一个极小值趋近Ei

D.经过一个极大值趋近Ei

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第6题

如果一半导体的导带中发现电子的几率为零,那么该半导体必定()。

A.不含施主杂质

B.不含受主杂质

C.不含任何杂质

D.处于绝对零度

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第7题

本征半导体是指()的半导体

A.不含杂质和缺陷

B.电阻率最高

C.电子密度和空穴密度相等

D.电子密度与本征载流子密度相等

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第8题

以下4种半导体中最适合于制作高温器件的是()

A.Si

B.Ge

C.GaAs

D.GaN

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第9题

当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时,其小注入下的少子寿命正比于()

A.1/n0

B.1/△n

C.1/p0

D.1/△p

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第10题

有效复合中心的能级必靠近()

A.禁带中部

B.导带

C.价带

D.费米能级

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