根据阈值电压的不同，常把MOS分成（）、（）两种。降低VT的措施包括：（）、（）两种。

写出实际MOS的阈值电压的表达式并说明各项的物理意义．

导出MOS理想结构的阈值电压V_TH的表达式并说明式中各项的物理意义．

A、正值，强反型

B、正值，导电沟道消失

C、负值，强反型

D、负值，导电沟道消失

一个MOS结构中由N_a=5×10¹⁵cm^-3的N型衬底、100nm厚的氧化层以及铝接触构成，测得阈值电压为2.5V，计算Si-SiO₂界面电荷密度．

MOS晶体管是一种()控制器件。

A、电流

B、电压

C、电阻

A、MOS晶体管的电学本质：电流控制电压源

B、MOS器件的最高工作频率与其沟道长度的平方成正比，增大沟道长度L可有效地提高工作频率

C、MOS管本征寄生电容有三个来源，分别是：栅至沟道的电容，基本MOS结构电容（覆盖电容），结电容

D、NMOS传输门传输低电平有阈值损失，PMOS传输门传输高电平有阈值损失

A.增大MOS管尺寸

B.提高过驱动电压

C.制造时向沟道区域注入杂质

D.增大衬底偏置效应