A.半导体费米能级位置会随温度的变化而变化
B.费米能级的位置标志着半导体中电子填充能级的水平
C.半导体费米能级位置与掺杂浓度紧密相关
D.掺杂浓度越高,半导费米能级的位置越高
第1题
A、费米能级是量子态基本上被电子占据或基本上空着的一个分界线
B、费米能级的位置比较直观的反映了电子占据量子态的状况
C、费米能级标志着电子填充能级的水平
D、费米能级是导带和价带的一个分界线
E、费米能级标志着电子填充导带的水平
F、费米能级标志着电子填充价带的水平
G、处于热平衡状态的电子系统不具有统一的费米能级
第2题
A、从室温开始,随温度的升高,费米能级逐渐降低,直至到达本征费米能级。
B、费米能级随掺杂浓度的增大向带边(导带底或价带顶)靠近。
C、费米能级一直随温度升高而降低。
D、费米能级一直随温度升高而增大。
E、费米能级随掺杂浓度的增大向上移动。
F、费米能级随掺杂浓度的增大向下移动。
第3题
A、电子准费米能级与空穴准费米能级之间的偏离程度反映了系统偏离热平衡态的程度
B、多子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很小
C、少子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很大
D、多子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很大
E、少子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很小
F、当电子的准费米能级和空穴的准费米能级重合时,半导体处于非平衡态
第4题
A、本征半导体是一块没有杂质和缺陷的半导体
B、本征半导体的费米能级位于禁带的中线附近
C、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度
D、本征半导体的电阻率随温度升高而单调下降
第5题
A、载流子浓度不随温度变化
B、大部分杂质都已电离
C、本征激发的影响可以忽略
D、载流子浓度随温度升高按指数规律变化
E、费米能级不随温度变化
F、本征激发的影响不可忽略
第6题
A、平衡PN结中不存在扩散和漂移电流
B、平衡PN结中P区和N区的费米能级应该是统一的
C、平衡PN结中自建电场的方向是从P区指向N区
D、平衡PN结的空间电荷区中的载流子浓度和P区,N区中的多子浓度基本一致
第7题
A、导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数
B、价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数
C、费米能级位于禁带内,且与导带底或价带顶的距离大于2k0T
D、导带中的电子服从费米分布函数
E、价带中的空穴服从费米分布函数
F、费米能级距离带边(导带底或价带顶)很近,甚至进入导带或价带
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