下列关于本征半导体，说法正确的有？

A、化学成分纯净的半导体

B、在绝对零度（0K）时，本征半导体中没有载流子

C、温度一定时，本征激发和复合达到动态平衡

D、自由电子的数目大于空穴的数目

E、温度变化时，自由电子和空穴数目变化一样

A、本征半导体就是不掺杂的半导体

B、本征半导体中的载流子是由于本征激发产生的

C、本征激发产生的载流子多少只和温度有关

D、本征激发产生的电子和空穴总是一样多

A.自由电子数目增多，空穴数目不变

B.自由电子和空穴数目增加相同

C.自由电子数目不变，空穴增多

D.自由电子数目增多，空穴数目减少

A、本征跃迁是本征吸收的逆过程

B、对于直接禁带半导体，其本征跃迁为直接跃迁

C、直接跃迁过程中只有光子和电子参与

D、对于间接禁带半导体，其本征跃迁是间接跃迁

E、间接跃迁过程中除了有光子和电子参与外，还有声子参与

F、间接跃迁的几率比直接跃迁的几率小得多

A、半导体对光的吸收主要是本征吸收

B、半导体对光的吸收主要是非本征吸收

C、产生本征吸收的条件是入射光子的波长要大于波长阈值

D、产生本征吸收的条件是入射光子的频率要小于频率阈值

A、本征半导体呈电中性,杂质半导体呈电性

B、本征半导体和杂质半导体均呈电中性

C、硅材料的温度特性比锗材料好,因为其禁带宽度较大

D、锗材料的温度特性比硅材料好,因为其禁带宽度较小

A、半导体中电子从高能量状态到较低能量状态的跃迁过程

B、辐射跃迁包括本征跃迁和非本征跃迁

C、作为半导体发光材料，要求在半导体内部发生的跃迁必须是辐射跃迁占优势

D、辐射跃迁包括带间跃迁，有杂质或缺陷参与的跃迁，以及带内跃迁

A、有带间跃迁产生电子—空穴对的本征光电导

B、除本征光电导外，光照也能使束缚在杂质能级上的电子或空穴受激电离产生杂质光电导，但杂质光电导与本征光电导相比较是非常小的。

C、在实际的半导体材料中，存在有大量的陷阱，光注入的少数载流子基本上全部被陷阱俘获，因此，只有光注入的多数载流子才对光电导有贡献。

D、小注入时的光电导为线性光电导。

E、大注入时的光电导为抛物线型光电导。

F、通常把小注入时的非平衡载流子的寿命称为弛豫时间。

G、弛豫时间越长，光电导的灵敏度越高。但弛豫时间越长，对光信号反应越慢。因此，既要灵敏度高，又要反应快，这是矛盾的。

A、P型半导体带正电

B、N型半导体带负电

C、本征半导体对外不显电性

D、杂质半导体对外显电性

A、半导体二极管正偏时，势垒区变窄

B、半导体二极管正偏时，扩散电流大于漂移电流，总电流方向与扩散电流一致

C、常温下，硅二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V

D、常温下，锗二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V

E、常温下，锗二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V

F、常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V