电力晶体管GTR存在二次击穿的问题。（）

A、时间久而失效

B、工作在开关状态

C、静电击穿

D、二次击穿

A. 大功率晶体管GTR不会发生二次击穿

B. B.功率MOSFET不会发生二次击穿

C. C.二次击穿可能使器件永久性损坏

D. D.二次击穿的过程很短暂

A. 二次击穿

B. 静电击穿

C. 时间久而失效

D. 工作在开关状态

附图共源放大电路中，哪个晶体管可能存在背栅效应？

A、M1

B、M2

C、M1和M2

D、都不存在背栅效应

A. 将发电机输出电压进行降压整流

B. 使励磁电流比较平稳，确保发电机的输出电流的稳定性

C. 防止励磁线圈的感应电压击穿功率管

D. 增加调压器的电压调节稳定性，减少超调量和调节振荡次数

A. 是一种低频脉冲振荡三极管

B. 有一个PN结，二个电极

C. 可将交变电流转换为直流

D. 有二个基极，一个PN结

在图示放大电路中，各晶体管的参数相同，且＝100，rbb’＝0，|UBE|=0.7V，IB3可忽略不计，电阻Rc1＝Rc2＝Rc3＝10k，Re＝9.3k，Re3＝4.3k，电源电压VCC＝VEE＝10V，试估算： 1．静态时，Uo＝？ 2．ui＝10mV时，输出信号电压uO＝？

A、Uo=6V uo=2V

B、Uo=3V uo=0V

C、Uo=0V uo=-2V

D、Uo=-3V uo=-4V