在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_ __，属于半控型器件的是__ _，属于全控型器件的是 _ _；属于单极型电力电子器件的有_ _，属于双极型器件的有_ _，属于复合型电力电子器件得有 __ _；在可控的器件中，容量最大的是_

A、电力二极管（Power Diode）

B、晶闸管（SCR）

C、门极可关断晶闸管（GTO）

D、电力晶体管（GTR）

A、电力二极管（Power Diode）

B、晶闸管（SCR）

C、电力晶体管（GTR）

D、门极可关断晶闸管（GTO）

A、门极可关断晶闸管GTO不是PNPN四层半导体结构。

B、门极可关断晶闸管GTO是PNPN四层半导体结构。

C、门极可关断晶闸管GTO与晶闸管SCR的半导体结构不一样。

D、门极可关断晶闸管GTO是PPPN或PNNN四层半导体结构。

此题为判断题(对，错)。

A. 耐压高

B. 自关断能力高

C. 工作频率高

D. 造价便宜

E. 线路简单

A. 门极开通电路

B. B.门极关断电路

C. C.门极反偏电路

D. D.RCD吸收电路

A、不可控型

B、半控型

C、全控型

D、以上答案全错

：A、普通晶闸管

B、电力场效应管

C、门极可关断晶闸管

D、绝缘栅双极晶体管