P-MOSFET就是指P沟道的功率场效应管。

写出下列各类场效应管工作在放大状态下的u_GS、U_DS的极性。

  (1)N沟道结型FET。  (2)P沟道结型FET。

  (3)N沟道耗尽型MOSFET。  (4)P沟道耗尽型：MOSFEET。

  (5)N沟道增强型MOSFET。  (6)P沟道增强型MOSFET。

图LP3-3所示电路，P沟道增强型MOSFET的μpCoxW／(2l)= 40μA／V2，VGS(th)=-1 V，若忽略沟道长度调制效应。

(1)试证：对于任意Rs值，场效应管都工作在饱和区。 (2)当Rs为12．5 kΩ时，试求电压VO值。

图LP3-3所示电路，P沟道增强型MOSFET的μpCoxW／(2l)= 40μA／V2，VGS(th)=-1 V，若忽略沟道长度调制效应。

(1)试证：对于任意Rs值，场效应管都工作在饱和区。 (2)当Rs为12．5 kΩ时，试求电压VO值。

A、P沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFET

B、P沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；结型N沟道

C、N沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFET

D、N沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET； N沟道结型

A、P沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFET

B、P沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；结型N沟道

C、N沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFET

D、N沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET； N沟道结型

A、a图为N沟结型FET，b图为N沟增强型MOSFET

B、a图为P沟结型FET，b图为N沟增强型MOSFET

C、a图为N沟结型FET，b图为P沟增强型MOSFET

D、a图为P沟结型FET，b图为P沟增强型MOSFET

A、P沟道增强型

B、N沟道耗尽型

C、N沟道增强型

D、P沟道耗尽型

A、正值

B、负值

C、零

D、任意值

简述N沟道结型场效应管的工作原理。