如图所示是一个MOSFET的转移特性,漏极电流iD的方向是它的实际方向，它是_______场效应管。

一个MOSFET的转移特性如下图所示(假定漏极电流i_D的正向是它的实际方向)。试问：(1)该管是耗尽型，还是增强型?(2)FET是N沟道，还是P沟道?(3)从转移特性上求出的是FET的夹断电压V_P，还是开启电压V_T?其值等于多少？

下图所示为MOSFET的转移特性，分别说明各属于哪种沟道。如是增强型，说明它的开启电压V_T=?如是耗尽型，说明它的夹断电压V_p=?(图中i_D的假定正向为流进漏极。)

对于如图所示的转移特性曲线（电流的参考方向为流入漏极），Q点处的跨导是 。

A、1S

B、2S

C、

D、

CMOS反相器电压转移特性如图所示下列说法中哪些是正确的

A、输入高电平容限为2.5--5V

B、输入高电平最小值为3.2V

C、输出低电平容限为0--0.3V

D、输入低电平容限为0--1.8V

E、正确

F、正确

分析如图所示的电路，画出其状态转移图。

如下图所示，该电路的转移电压比

A、

B、

C、

D、

如图所示肺内病灶诊断为：

A、肺结核

B、肺内转移瘤

C、大叶性肺炎

D、肺气肿

A、耗尽型PMOS管，夹断电压VP为2V

B、P沟JFET管，夹断电压VP为2V

C、N沟JFET管，夹断电压VP为2V

D、增强型NMOS管，开启电压为2V

患者40岁，男性，如图所示，最可能的诊断是()

A. 骨样骨瘤

B. 转移瘤

C. 内生软骨瘤

D. 软骨肉瘤

E. 以上都不是