在奥氏体等温形成过程中，下列关于加热温度的影响说法错误的是（)

A、随奥氏体形成温度提高，形核率的增长速率高于长大速度的增长速率，奥氏体的起始晶粒度下降

B、随奥氏体形成温度提高，剩余渗碳体量减小，奥氏体平均碳含量升高

C、随奥氏体形成温度提高，转变的孕育期缩短，转变完成需要的时间缩短

D、随加热温度的升高，相变驱动力增大，碳原子扩散系数增大，形核率和长大速率提高，奥氏体形成速度提高

A、形成温度越高，转变孕育期越短

B、形成温度越高，形核率和长大速度越快

C、形成温度越高，奥氏体内的平均C含量越高

D、形成温度越高，铁素体溶解速度减慢，渗碳体溶解速度越快

A、随相变温度升高，相变驱动力增大，形核功（W）减小，形核率增大

B、随相变温度升高，原子扩散系数增大，扩散速度提高，形核率增大

C、随相变温度升高，Cγ-α与Cα-γ之差减小，奥氏体形核需要的碳浓度起伏减小，形核率增大

D、随相变温度升高，Cγ-α与Cα-γ之差减小，因此碳浓度差减小，形核率减小

A、奥氏体内部的C浓度起伏增大

B、C原子扩散系数增加

C、相界面处浓度梯度降低

D、过冷度增加

A、由于奥氏体与铁素体之间的浓度差小于奥氏体与渗碳体之间的浓度差，因此奥氏体在铁素体中的长大速度大

B、随着相变温度升高，碳在奥氏体中的浓度梯度增大

C、随相变温度升高，碳在奥氏体中的扩散系数增大

D、奥氏体在铁素体中长大速度远大于向渗碳体中长大速度，因此，即使铁素体体积含量更高，往往也会有渗碳体剩余

A、奥氏体瞬间形核瞬间长大

B、随温度升高，奥氏体形成速度先增加后减小

C、在等温形成过程中，随时间延长转变速率一直增大

D、奥氏体形成孕育期随着温度升高先增大后减小，呈现C字形

A、在葡萄酒中，乳酸菌最适生长温度范围为20~23℃

B、当酒精度升高时，乳酸菌最适温度也升高

C、如果温度太低，乳酸菌的生长就会减缓，如果葡萄酒的温度低于18℃，MLF就会被推迟

D、温度过高，如25℃及其以上的温度，不仅会抑制细菌的生长，减缓MLF，而且会引起代谢途径的变化，产生过多的挥发酸

A、双金属温度计是利用两种金属膨胀系数的不同而工作的。

B、双金属温度计的结构主要有万向型、径向型和轴向型三种

C、双金属温度计的测量精度较高，被广泛应用于就地检测温度的场合

D、双金属温度计一般用于中、低温度的现场温度检测

A、硅是间接带隙半导体

B、禁带宽度具有负的温度系数

C、室温下，硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eV

D、位于能带底的电子，其有效质量为正，位于能带顶的电子，其有效质量为负

A. 场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOSFET）

B. 场效应管工作于放大状态时，结型场效应管的栅极与源极之间的PN结是正向偏置

C. 一般来说，场效应管的输入电阻都比较高，结型高达107Ω，绝缘型高达109Ω

D. 场效应管具有输入电阻高、温度稳定性好、噪声小等优点

E. 一般来说，场效应管的放大能力大都比较弱