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[单选题]

NPN双极型晶体管具有放大作用，要求基区宽度足够小。原因不包括（）。

A.减少在基区中复合的电子数

B.使得从发射区注入基区的载流子绝大部分可到达集电区

C.基区中空穴的扩散长度很小

D.使绝大多数电子可通过基区达到集电结边界

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更多“NPN双极型晶体管具有放大作用，要求基区宽度足够小。原因不包括（）。”相关的问题

第1题

已经测得在线路中处于放大状态的双极晶体管三个引脚的电位，试判别其为PNP管还是NPN管，并指出哪个引脚是基极、发射极和集电极。(1)A:11V,B:5V,C:4.3V(2)A:0.2V,B:－6V,C;－0.5V(3)A:4V,B:0V,C:4.6V

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第2题

双极型晶体管的基区输运系数的表达式为（）。

A、

B、

C、

D、

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第3题

双极型晶体管的基区输运系数的表达式为（）。

A、

B、

C、

D、

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第4题

NPN型和PNP型晶体管的发射区和基区间的PN结称为（）。

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第5题

NPN型晶体管处于放大状态时，由发射区注入基区的自由电子绝大多数被复合。

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第6题

共基极连接使用的双极型晶体管没有电压放大作用，但是有电流和功率放大作用。

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第7题

引起晶体管基区宽度调制效应的主要原因是（）。

A、发射结正偏电压变化

B、集电结反偏电压变化

C、基区少子浓度梯度变化

D、发射结势垒宽度变化

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第8题

以下各项中，不能提高双极型晶体管电流放大系数的措施是（）。

A、降低发射区与基区的方块电阻之比

B、减小基区宽度

C、减小基区自建电场因子

D、提高基区少子寿命和迁移率

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第9题

由于双极型晶体管有效基区宽度的变化，引起基区中少子积累的变化，反应出（）的充放电效应。

A、集电结势垒电容

B、集电结扩散电容

C、发射结势垒电容

D、发射结扩散电容

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第10题

采用方块电阻来表示双极型晶体管，无论是均匀基区晶体管还是缓变基区晶体管，其表达式都是一样的。

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