由于双极型晶体管有效基区宽度的变化，引起基区中少子积累的变化，反应出（）的充放电效应。

A、tnb >> tb

B、tnb << tb

C、tnb @ tb

D、tnb 和 tb之间大小不确定

A、xE>>LE、xB>>LB；

B、xE>>LE、xB<<lb；<br> C、xE<<le、xb>>LB；

D、xE<<le、xb<<lb；<br>

A、集电结反向偏压增大

B、基区有效宽度增加

C、基区少子浓度梯度增加

D、输出特性曲线左移

A、降低发射区与基区的方块电阻之比

B、减小基区宽度

C、减小基区自建电场因子

D、提高基区少子寿命和迁移率

A、工作在线性放大区时，集电极电流略有增加

B、基区有效宽度减小

C、基区少子浓度梯度增大

D、输出特性曲线左移

A、少子，多子

B、多子，多子和少子

C、多子和少子，多子

D、多子和少子，少子

A、减少在基区中复合的电子数

B、使得从发射区注入基区的载流子绝大部分可到达集电区

C、基区中空穴的扩散长度很小

D、使绝大多数电子可通过基区达到集电结边界

A、窄禁带材料制作发射区，用宽禁带材料制作基区

B、宽禁带材料制作基区区，用窄禁带材料制作集电区

C、窄禁带材料制作基区，用宽禁带材料制作集电区

D、宽禁带材料制作发射区，用窄禁带材料制作基区

A、均匀分布

B、线性分布

C、高斯分布

D、余误差分布