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[主观题]

对于p型半导体构成的理想MIS结构,如果掺杂浓度增加,则平带电容会不变。

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更多“对于p型半导体构成的理想MIS结构,如果掺杂浓度增加,则平带电容会不变。”相关的问题

第1题

对于p型半导体构成的理想MIS结构,在多子积累时,总电容就等于绝缘层电容。
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第2题

P型半导体构成的MIS结构,若[图],假定绝缘层中无电荷且...

P型半导体构成的MIS结构,若,假定绝缘层中无电荷且不存在界面态时,则其平带电压( )。

A、

B、

C、

D、无法判断

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第3题

对于p型半导体,费米能级随掺杂浓度的变化情况为:

A、费米能级随掺杂浓度的增加向价带顶移动

B、费米能级随掺杂浓度的增加向导带底移动

C、费米能级随掺杂浓度的增加向禁带中线移动

D、费米能级随掺杂浓度的增加向施主能级移动

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第4题

P型半导体构成的MIS结构,若Wm>Ws假定绝缘层中无电荷且不存在界面态时,则其平带电压( )。

A、VFB>0

B、VFB=0

C、无法判断

D、VFB<0<br>

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第5题

在P型半导体中,当温度升高时,自由电子浓度会增加,而空穴浓度保持不变。
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第6题

N型半导体带负电,P型半导体带正电。

此题为判断题(对,错)。

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第7题

对于理想的MIS结构,哪个能带图对应的是P型半导体表面的多子耗尽状态?

A、

B、

C、

D、

E、

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第8题

对于理想的MIS结构,哪个能带图对应的是P型半导体表面的多子耗尽状态?

A、

B、

C、

D、

E、

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第9题

对于理想的MIS结构,哪个能带图对应的是P型半导体表面的多子耗尽状态?

A、

B、

C、

D、

E、

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第10题

对于一定的N型半导体材料,在温度一定时,减小掺杂浓度,费米能级会()。

A.上移

B.下移

C.不变

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