某Si半导体掺有2×10^17cm^-3的硼原子以及 3×10^16cm^-3的磷原子，那么此Si半导体主要是（）导电。

已知硅半导体中每立方厘米掺有1个硼原子，则：

A、这是N-Si

B、电子浓度为

C、该半导体中空穴为少数载流子

D、该半导体的费米能级在禁带中心下方

在一掺硼的非简并p型硅中，含有一定浓度的铟，室温下测出空穴浓度p₀=1.1×10¹⁶cm^-3。已知掺硼浓度N_Al=10¹⁶cm^-3其电离能△E_A1=E_A1-E_v=0.046eV，铟的电离能△E_A2=E_A2-E_v=0.16eV，试求这种半导体中含铟的浓度。室温下硅的N_v=1.04×10¹⁹cm^-3。

B掺杂浓度为的Si半导体，再掺入的P原子后，在禁带的位置将( )

A、更靠近

B、更靠近

C、位于

D、不确定

设某金属与(111)晶面n-Si组成肖特基二极管，已知其接触后半导体一边的势垒高度为0.50eV，N_D=10¹⁵cm^-3，N_c=2.8×10¹⁹cm^-3，电子亲和能χ=4.05eV，I_p=10μm，D_p=15cm²/s，n_i=1.5×10¹⁰cm^-3，A^*=252A/cm²K²(里查德常数)，求：

某p型半导体掺杂浓度N_A=10¹⁶cm^-3，少子寿命τ_n=10μs，在均匀光的照射下产生非平衡载流子，其产生率g=10¹⁸cm^-3·s，试计算室温时光照情况下的费米能级并和原来无光照时的费米能级比较。(设本征载流子浓度n_i=10¹⁰cm^-3)。

在一掺硼的非简并p型硅中，含有一定浓度的铟，室温下测出空穴浓度p0=1．1×1016cm-3。已知掺硼浓度NA1=1016cm-3其电离能△EA1=EA1-Ev=0．046eV，铟的电离能△EA2=EA2-Ev=0．16eV，试求这种半导体中含铟的浓度。室温下硅的Nv=1．04×1019cm-3。

A.高于Ei

B.低于Ei

C.等于Ei

某一N型半导体电子浓度为1×1015cm-3，电子迁移率为1000cm2／(V.s)，求其电阻率。

掺砷的硅片是N型半导体，这种半导体中的电子浓度是2×1021个／m3，电阻率是1.6×10－2Ω·m。用这种硅做成霍尔探头以掺砷的硅片是N型半导体，这种半导体中的电子浓度是2×10 21 个/m 3 ，电阻率是1.6×10 -2 Ω·m。用这种硅做成霍尔探头以测量磁场，硅片的尺寸相当小，是0.5cm×0.2cm×0.005cm。将此硅片长度的两端接入电压为1V的电路中。当探头放到磁场某处并使其最大表面与磁场某方向垂直时，测得0.2cm宽度的探头两侧的霍尔电压是1.05mV。求磁场中该处的磁感应强度

掺砷的硅片是N型半导体，这种半导体中的电子浓度是2×1021个／m3，电阻率是1.6×10－2Ω·m。用这种硅做成霍尔探头以掺砷的硅片是N型半导体，这种半导体中的电子浓度是2×10 21 个/m 3 ，电阻率是1.6×10 -2 Ω·m。用这种硅做成霍尔探头以测量磁场，硅片的尺寸相当小，是a×b×c=0.5cm×0.2cm×0.005cm。将此片长度的两端接入电压为1V的电路中。当探头放到磁场某处并使其最大表面与磁场方向垂直时，测得0.2cm宽度两侧的霍尔电压是1.05mV。求磁场中该处的磁感应强度