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[主观题]

掺砷的硅片是N型半导体，这种半导体中的电子浓度是2×1021个／m3，电阻率是1.6×10－2Ω·m。用这种硅做成

霍尔探头以掺砷的硅片是N型半导体，这种半导体中的电子浓度是2×10 21 个/m 3 ，电阻率是1.6×10 -2 Ω·m。用这种硅做成霍尔探头以测量磁场，硅片的尺寸相当小，是0.5cm×0.2cm×0.005cm。将此硅片长度的两端接入电压为1V的电路中。当探头放到磁场某处并使其最大表面与磁场某方向垂直时，测得0.2cm宽度的探头两侧的霍尔电压是1.05mV。求磁场中该处的磁感应强度

答案
设a=0．5cm，b=0．2cm，c=0．005cm（图14-10）。硅片的电阻 因此电流 硅片的霍尔电压 由此可得磁感应强度 =1．34×10 -2 T
发布时间：2021-09-06
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第1题

掺砷的硅片是N型半导体，这种半导体中的电子浓度是2×1021个／m。，电阻率是1.6×10－2Ω·m。用这种硅做成霍尔探头以

掺砷的硅片是N型半导体，这种半导体中的电子浓度是2×1021个/m。，电阻率是1.6×10-2Ω·m。用这种硅做成霍尔探头以测量磁场，硅片的尺寸相当小，是a×b×c=0.5cm×0.2cm×0.005cm。将此片长度的两端接入电压为1v的电路中。当探头放到磁场某处并使其最大表面与磁场某方向垂直时，测得0.2cm宽度两侧的霍尔电压是1.05mV。求磁场中该处的磁感应强度。

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第2题

掺砷的硅片是N型半导体，这种半导体中的电子浓度是2×1021个/m3，电阻率是1.6×10-2Ω·m。用这种硅做成霍尔探头以测量磁场，硅片的尺寸相当小，是0.5cm×0.2cm×0.005cm。将此硅片长度的两端接入电压为1V的电路中。当探头放到磁场某处并使其最大表面与磁场某方向垂直时，测得0.2cm宽度的探头两侧的霍尔电压是1.05mV。求磁场中该处的磁感应强度。
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第3题

掺砷的硅片是N型半导体，这种半导体中的电子浓度是2×1021个/m3，电阻率是1.6×10-2Ω·m。用这种硅做成霍尔探头以测量磁场，硅片的尺寸相当小，是a×b×c=0.5cm×0.2cm×0.005cm。将此片长度的两端接入电压为1V的电路中。当探头放到磁场某处并使其最大表面与磁场方向垂直时，测得0.2cm宽度两侧的霍尔电压是1.05mV。求磁场中该处的磁感应强度。
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第4题

掺砷的硅片是N型半导体，这种半导体中的电子浓度是2×1021个/m3，电阻率是1.6×10-2Ω·m。用这种硅做成霍尔探头以测量磁场，硅片的尺寸相当小，是a×b×c=0.5cm×0.2cm×0.005cm。将此片长度的两端接入电压为1V的电路中。当探头放到磁场某处并使其最大表面与磁场方向垂直时，测得0.2cm宽度两侧的霍尔电压是1.05mV。求磁场中该处的磁感应强度。
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第5题

掺砷的硅片是N型半导体，这种半导体中的电子浓度是电阻率是用这种硅做成衢尔探头以测量磁场、硅片的尺寸相当小.是aXbXc=0.5 cmX0.2 cmX0.005 cm。将此片长度的两端接入电压为1 V的电路中。当探头放到磁场某处并使其最大表面与磁场某方向垂直时，测得0.2cm宽度两侧的霍尔电压是1.05mV。求磁场中该处的礅感应强度。

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第6题

掺砷的硅片是N型半导体，这种半导体中的电子浓度是2x10^21个m,电阻率是1.6x10^－2Ω·m。用这种硅做成霍尔探头以测量磁场，硅片的尺寸相当小，是axbxc=0.5cmx0.2cmx0.005cm。将此片长度的两端接入电压为1V的电路中。当探头放到磁场某处并使其最大表面与磁场某方向垂直时，测得0.2cm究度两侧的霍尔电压是1.05mV。求磁场中该处的磁感应强度。

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第7题

掺砷的硅片是N型半导体，这种半导体中的电子浓度是2X10^21个m^3，电阻率是1.6X10^-2Ω·m。用这种硅做成霍尔探头以测盘磁场,硅片的人相当示，是axbxc=0.5cmX0.2cmX0.005cm.将此片长度的两端接入电压为1V的电路中，当探头放到磁场某处并使其最大表面与磁场方向垂直时，测得0.2 cm宽度两侧的衢尔电压是1.05mV。求磁场中该处的磁感应强度。

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第8题

N型半导体是指()的半导体.
A.电子导电为主

B.空穴导电为主

C.离子导电为主

D.导电能力很弱

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第9题

电工学第七版下册课后练习与思考题答案

14.1.3 N型半导体中的自由电子多于空穴，而P型半导体中的空穴多于自由电子，是否N型半导体带负电，而P型半导体带正电?

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第10题

杂质半导体中，空穴的浓度比电子浓度高得多的，主要依靠空穴导电的称为()。

A、N型半导体

B、P型半导体

C、电子型半导体

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