A.e结正偏, c结正偏
B.e结反偏, c结正偏
C.e结正偏, c结反偏
D.e结反偏, c结反偏
第2题
A. 晶体管的工作状态可分为截止状态、放大状态和饱和状态
B. 晶体管的工作区域可分为线性区和非线性区
C. 晶体管工作状态可由开关接通与断开的电路模型表示
D. 晶体管存在开关状态和放大状态两种工作状态
第3题
A、锗管, U1对应为基极b, U2对应为发射极e, U3对应为集电极c
B、锗管, U3对应为基极b, U2对应为发射极e, U1对应为集电极c
C、硅管, U3对应为基极b, U1对应为发射极e, U2对应为集电极c
D、硅管, U1对应为基极b, U2对应为发射极e, U3对应为集电极c
第4题
A、NPN管
B、PNP管
C、PNP管
D、NPN管
第7题
A、减少在基区中复合的电子数
B、使得从发射区注入基区的载流子绝大部分可到达集电区
C、基区中空穴的扩散长度很小
D、使绝大多数电子可通过基区达到集电结边界
第10题
A、窄禁带材料制作发射区,用宽禁带材料制作基区
B、宽禁带材料制作基区区,用窄禁带材料制作集电区
C、窄禁带材料制作基区,用宽禁带材料制作集电区
D、宽禁带材料制作发射区,用窄禁带材料制作基区
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