重要参数阈值电压由很多因素决定，下列哪个不包含在内

A、对于NFET，界面的电子浓度等于p型衬底的多子浓度时的栅压VGS

B、若VGS>VTH ，则MOS管导通

C、若VTH=0，则对于最低电压为GND的NMOS器件来说一般不关断

D、在器件制造过程中，通过向沟道区注入杂质可以调整阈值电压VTH0 ，即改变氧化层界面附近衬底的掺杂浓度

E、工艺确定后，VTH0确定，那么设计者再无法改变器件的阈值电压

F、PMOS器件的VGS要足够“负”，才能使其导通。

A、NFET的阈值电压定义为当界面的电子浓度等于p型衬底的多子浓度时的栅源电压

B、在器件制造过程中，可通过向沟道区注入杂质来调整阈值电压

C、当时，NMOS器件导通

D、若，则 NMOS器件关断

A、衬底的掺杂浓度

B、二氧化硅中的电荷数量及性质

C、栅氧化层厚度

D、栅极、源极、漏极电压

A、当源与体之间存在衬底偏置电压VSB时，将会使n沟MOS管的阈值电压增大。

B、随着栅电压的不断提高，耗尽区宽度将逐渐增大。

C、阈值电压通常对于NMOS器件是一个正值，对于PMOS器件是一个负值。

D、p型硅衬底的费米势的典型值是-0.3V。

A、1

B、2

C、3

D、不确定

题2-1-7、在NMOS中，若, 会使阈值电压（）。

A、增大

B、不变

C、减小

D、可大可小

A、靠近栅极界面的电荷比靠近半导体界面的电荷影响更大

B、靠近半导体界面的电荷比靠近栅极界面的电荷影响更大

C、靠近栅极界面的电荷与靠近半导体界面的电荷的影响相同

D、无法确定

A、传感器的两个二次绕组的电气参数与几何尺寸不对称

B、磁性材料磁化曲线的非线性

C、励磁电压本身含高次谐波。

D、当铁芯位于线圈中心位置时，输出电压不为0

A、额定电压大小

B、负载功率因数大小

C、变压器短路阻抗大小

D、负载电流大小