A.栅极与源极
B.栅极与漏极
C.源极与漏极
D.栅极与衬底
第1题
B.不能
C.不知道能不能
D.在特殊的极限情况下能
第2题
第3题
A. 基极
B. 集电极
C. 发射极
D. 发射极或集电极
第4题
要使耗尽型MOS管工作在恒流区,栅源偏压可以为正、负或零。
第5题
A、当源与体之间存在衬底偏置电压VSB时,将会使n沟MOS管的阈值电压增大。
B、随着栅电压的不断提高,耗尽区宽度将逐渐增大。
C、阈值电压通常对于NMOS器件是一个正值,对于PMOS器件是一个负值。
D、p型硅衬底的费米势的典型值是-0.3V。
第6题
A、0.5V
B、1V
C、1.5V
D、1.8V
第7题
第8题
B.三极管
C.深三极管
D.饱和
第9题
此题为判断题(对,错)。
第10题
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