关于电子对效应的以下说法错误的是（）

A、在磁场变化的整个周期中，电子一直在加速。

B、在磁场变化的整个周期中，只有1/4的周期可用于加速电子。

C、原则上加速器的工作过程不受相对论效应影响。

D、加速轨道上的B值恰好等于轨道包围的面积内B值的平均值之半。

A. 入射光子把全部能量传递给电子

B. 入射光子消失

C. 释放光电子

D. 入射光子改变方向

A、诱导效应是因分子中存在极性共价键引起的。

B、基团的诱导效应具有方向性，有供电子（+I）基团和吸电子（－I）基团之分。

C、基团的电负性越大，吸电子诱导效应越小。

D、诱导效应随着距离的远离迅速减弱。

A、能够形成大π键或造成电子离域的体系称为共轭体系。

B、共轭效应强弱不随距离的延伸而减弱。

C、共轭体系越大，分子或离子的内能更低即体系越稳定。

D、π-π共轭、p-π共轭和σ-π超共轭均是多个p轨道肩并肩重叠。

A、当照射光的频率小于红限频率时，无论照射光的强度多大，有不会有光电子逸出。

B、当频率一定的光照射不同的金属材料时，其对应的截止电压是相同的。

C、当照射光的频率一定时，改变照射光的光强，其对应的截止电压是相同的。

D、当频率一定的光照射不同的金属材料时，其对应的光电子的最大初动能是不同的。

A、金属元素都是采取面心立方或六角密积结构，它们都是排列最紧密的晶体结构。

B、金属结合没有方向性和饱和性，金属结合首先是一种体积效应，原子愈紧凑，库仑能就愈低

C、当原子实相互接近到它们的电子云发生显著交叠时，由于泡利原理会产生强烈的排斥作用

D、Cu、Ag、Au、Al晶体都是面心立方(fcc)晶格

A、沟道长度调变效应指的是增加，出现夹断点，沟道长度减小，从而导致漏-源饱和电流增加

B、沟道长度调变效应会使MOS输出特性曲线饱和区段发生倾斜，输出阻抗降低

C、由于沟道长度调变效应，在n型沟道中运动的电子到达夹断处时，会被耗尽区电场扫进漏区，从而导致增益变小

D、沟道长度调变效应的工作机理与双极型晶体管的基区宽度调变效应有些相似

A、VDS增加，出现夹断点，沟道长度减小，导致漏-源饱和电流增加

B、MOS输出特性曲线饱和区段发生倾斜，输出阻抗降低

C、在n型沟道中运动的电子到达夹断处时，被耗尽区电场扫进漏区，增益变小

D、其工作机理类似于双极型晶体管的基区宽度调变效应

A、增加，出现夹断点，沟道长度减小，导致漏-源饱和电流增加

B、MOS输出特性曲线饱和区段发生倾斜，输出阻抗降低

C、在n型沟道中运动的电子到达夹断处时，被耗尽区电场扫进漏区，增益变小

D、其工作机理类似于双极型晶体管的基区宽度调变效应

A.光照射于某一物体上，使电子从这些物体表面逸出的现象称为外光电效应。

B.光电效应中，一个光子的能量只能给一个电子，光子的能量一部分用于逸出功，一部分作为电子逸出时的初动能。

C.当光子能量小于逸出功时，只要光通量足够很大，电子就可以逸出。

D.光既有波动性又有粒子性。