SRAM是利用（）来存储0和1的。

下图所示SRAM存储元中，下列说法正确的是（）

A、用A点的电平高低表示存储的二进制信息1和0

B、三极管T1和T2呈现互锁关系，B点连接T1的栅极，当B点为低电平（0）时，T1管截止，A点高电平（1）

C、T3和T1管构成一个反相器（非门），其输入为T1的栅极，输出为A点；T4和T2管也构成一个反相器（非门），其输入为T2栅极，输出为B点，因此，该SRAM存储元采用2个非门互锁构成一个触发器电路，其中A点看成是Q端，B点是/Q端

D、上述图所示的存储元存储了2位二进制信息

A、2

B、4

C、8

D、12

A、C C D

B、C C C

C、D D D

D、D D C

A、8片；0BFFFH

B、6片；0BFFFH

C、8片；0FFFFH

D、6片；0FFFFH

下图所示SRAM存储元中，下列说法正确的是（）

A、T5和T6管受X地址译码线控制，当该译码线上有低电平时，T5和T6同时导通，A点和B点和左右两侧的位线连通

B、T7和T8管受Y地址译码线控制，当该译码线上有低电平时，T7和T8同时导通，左右两侧的位线分别和I/O以及连通

C、存储元在读写时，X地址译码线和Y地址译码线必须同时为高电平

D、存储元在读写时，只要X地址译码线和Y地址译码线有一个为高电平即可

A、0

B、1

C、2

D、3