关于半导体的说法中错误的是：（）。

B．本征半导体不含有任何杂质和缺陷

C．本征半导体电流密度来源于电子和空穴对传导的总贡献

D．纯元素的本征半导体只有硅和锗

A. 空穴是多数载流子

B. 在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极

C. 在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体

D. 在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成

A.自由电了是多数载流子

B.在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极

C.在纯净的硅晶体中加入三价元素硼，可形成N型半导体

D.在PNP型晶体管中，基区是N型半导体

A、导体是在一系列能带中除了电子填充满的能带以外，还有部分被电子填充的能带，称为导带，后者起着导电作用。

B、本征半导体和绝缘体的能带填充情况是相同的，只有满带和空带，它们之间的差别只是价带和导带之间的能带隙不同。

C、导带中只有部分状态被电子填充，外场的作用会使布里渊区的状态分布发生变化。所有的电子状态以相同的速度沿着电场的反方向运动。

D、能带是不满带，和电场同方向上运动的电子较多，因此产生电流。

A、硅是间接带隙半导体

B、禁带宽度具有负的温度系数

C、室温下，硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eV

D、位于能带底的电子，其有效质量为正，位于能带顶的电子，其有效质量为负

A、纳米材料通常指尺度为0.1~100nm之间的材料

B、纳米材料最突出的性能是硬度高、熔点高、密度大

C、纳米级陶瓷材料制备方法有化学共沉淀法、溶胶凝胶法及水效合成法

D、纳米材料主要应用领域有高性能催化剂、新一代半导体材料、医学、生物学等

A、半导体表面强反型时的栅极电压称为阈值电压

B、若金属相比半导体的功函数较小，二者功函数之差越大时，n沟增强型MOSFET的开启电压就越小

C、衬底掺杂浓度越高，沟道越容易进入强反型状态

D、氧化层厚度增加，阈值电压增加

A. p-n结两边掺杂浓度相差较大时，反向饱和电流密度主要由掺杂浓度较低的一侧贡献。

B. 在一定温度下，与Si材料相比，GaAs具有较小的有效态密度和较大的禁带宽度，所以GaAs可获得更低的反向饱和电流密度。

C. p-n结两边掺杂浓度越高，越有利于降低反向饱和电流密度。

D. 与半导体中的载流子寿命、扩散长度、导带价带的有效态密度、掺杂浓度以及禁带宽度有关。赋予他们恰当值可以得到较大的VOC。

A．某种溶液的导电性能不如金属，又不是绝缘体，所以，这种溶液是半导体

B．汞的导电性大大小于铝．铜．铁等金属材料，所以，汞是半导体物质

C．干燥的木块不导电，将木块弄潮湿后开始导电，但导电性能远不如铝．铜等金属材料，有人说，“潮湿将木块由绝缘体变为半导体”的说法是错误的

D．在纯结晶状态的硅中掺入某些元素原子后，会由不导电变为导电，但它在某一个方向导电比另一个方向容易些，而且导电能力受电压等外界因素影响大。这些导电性能不如金属，所以，硅是半导体物质