A.CF4
B.BCL3
C.氮气
D.氢气
第1题
A、SF6
B、Ar
C、氧气
D、氮气
第2题
A、显影
B、光刻
C、涂胶
D、抛光
第3题
A、刻蚀均匀性要好
B、图形的保真度好
C、刻蚀选择比低
D、刻蚀的洁净度高
第4题
A、曝光-刻蚀-显影-去胶
B、曝光-显影-刻蚀-去胶
C、曝光-显影-去胶-刻蚀
D、曝光-刻蚀-显影-去胶
第5题
A、刻蚀速率
B、刻蚀均匀性
C、刻蚀选择比
D、刻蚀因子
第6题
A、干法刻蚀
B、湿法刻蚀
C、化学刻蚀
D、物理刻蚀
第7题
A、干法刻蚀主要是指利用等离子体放电产生的化学过程对材料表面的加工
B、具有分辨率高、各向异性腐蚀能力强的特点
C、腐蚀的选择比大、重复性好
D、会产生化学废液、易引入污染,洁净度较低
第8题
A、金属封装
B、陶瓷封装
C、半导体封装
D、塑料封装
第9题
A、抛光压力
B、相对速度
C、抛光区域温度
D、抛光液粘度、PH值
E、磨粒尺寸、浓度及硬度
第10题
A、抛光机
B、抛光液
C、抛光垫
D、后清洗设备
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